La sonde atomique tridimensionnelle laser

Avec la sonde tomographique laser, de nouvelles perspectives s’ouvrent vers les matériaux peu conducteurs. Le domaine de la microélectronique est probablement le plus porteur car la miniaturisation des circuits intégrés peut rapidement placer la sonde tomographique laser comme un instrument incontournable. Les nanotransistors de dernière génération atteignent des tailles voisines de 30 nm (taille de la grille). Des techniques comme le SIMS, outil de prédilection en microélectronique jusqu’à présent, arrivent à leurs limites de résolution spatiale et analytique sur des volumes aussi petits. Le SIMS a en effet un rendement de détection de 0,1 % dans le meilleur des cas, rendant impossible d’imager les dopants dans les parties actives de transistors. Rappelons que dans les plus petits transistors, un drain ou une source peuvent ne contenir que 60 atomes dopants. De nouvelles possibilités sont donc offertes par la sonde tomographique car il devient possible d’imager et d’analyser les nanotransistors en trois dimensions à l’échelle atomique. La figure ...