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Innovations technologiques / Référence TI958

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Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel

Référence IN40 | Date de publication : 10 août 2005 | Philippe BOY, Philippe BELLEVILLE

5. Autres compositions étudiées

La variation de la polarisation des films PZT avec le champ électrique se traduit par une dépendance importante des propriétés diélectriques au potentiel appliqué (figure 10). Cela est particulièrement vrai pour la composition optimale PbZr0,5Ti0,5O3 . Il en découle la nécessité de mettre au point des procédés de dépôt parfaitement reproductibles. C’est une des forces de la méthode mise au point au laboratoire.

De plus, les films PZT peuvent présenter une faible résistance à la fatigue quand on réalise des balayages en potentiels .

Le fait de doper le PZT avec un élément de la famille des lanthanides...

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