1. Contexte
Olivier VANBÉSIEN est professeur à l’université de Lille.
Il effectue des recherches à l’IEMN (Institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologies) et est responsable du Groupement de Recherche CNRS-Nanoélectronique (GdR 2054).
Les hétérostructures unidimensionnelles, autrement dit des empilements de matériaux différents dans une direction de l’espace appelée direction de croissance, ont été depuis les années 1980 à la source de la majorité des progrès réalisés en micro- et optoélectronique. Que ce soit dans le domaine des transistors à effet de champ ou bipolaire, les besoins de miniaturisation et de montée en fréquence ont fait que le recours aux hétérostructures métal/semi-conducteur et semi-conducteur/semi-conducteur est devenu systématique dans toute nouvelle conception. Il en va de même pour la grande majorité des diodes non linéaires à l’état solide dès lors qu’un fonctionnement au-delà de quelques dizaines de gigahertz est envisagé. En optoélectronique, le constat est similaire lorsque l’on observe le développement fulgurant des diodes électroluminescentes ou des sources...
La suite de cet article est réservée aux abonnés
Vous n'êtes pas abonné ?
Consultez gratuitement cet article.
votre période de consultation gratuite
Découvrez le plus important corpus scientifique et technique francophone
Plus de 8 000 articles, 13 univers, 400 bases documentaires, les plus grands auteurs, un enrichissement permanent et un éventail de services associés.
