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2. Propriétés des hétérostructures unidimensionnelles
Associer des matériaux différents et assurer une bonne qualité d’interface reste un défi technologique majeur. Il est connu depuis longtemps qu’un contact métallique sur GaAs est de bien meilleure qualité que sur silicium, d’où le développement des transistors MESFET puis HEMT sur matériaux III-V. Maîtriser de la même manière des hétéro-interfaces semi-conducteur-oxyde fut la priorité pour les transistors MOS, problématique qui revient à l’ordre du jour suite à l’introduction, au niveau des grilles, de nouveaux diélectriques à forte permittivité pour poursuivre la miniaturisation de ces transistors. De plus, au sein des composants, les hétérostructures semi-conductrices sont devenues incontournables pour optimiser les performances et poursuivre la course aux hautes fréquences.
MESFET : Metal Semiconductor Field Effect Transistor
HEMT : High Electron Mobility Transistor
MOS : Metal Oxide Semiconductor
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Ce sont, au premier ordre, les propriétés cristallines qui font la qualité...
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