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4. Dispositifs électroniques
La réduction constante de la taille des dispositifs électroniques, qui conditionne à la fois le nombre des éléments constitutifs et la rapidité des circuits, rencontre dans l'approche top-down un certain nombre de difficultés techniques que l'on continue à surmonter, mais au-delà d'une borne inférieure, il faudra lui substituer une approche bottom-up partant de l'échelle moléculaire, fondée sur des principes de physique quantique différents. Nous tenterons de décrire successivement ces deux approches et l'illustrerons par deux types de transistors à effet de champ : les MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors ) et les SET (Single Electron Transistors ), puis évoquerons succintement les problèmes relatifs aux interconnexions.
4.1 Approche top-down : améliorations et limites
MOSFET : Metal-Oxide Semiconductor Field...
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