- Mémoires à semi-conducteurs - Références bibliographiques
- Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 2) - Références bibliographiques
- Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 1) - Références bibliographiques
Les mémoires MRam sont constituées non pas d'éléments électriques, comme ses prédécesseurs, mais d'éléments spintroniques ... Ces mémoires MRam sont constituées de deux couches de matériaux ferromagnétiques et d'un isolant ferroélectrique, le titanate de baryum (BaTiO3
Point mémoire MRAM Les MRAM utilisent la propriété de spin des électrons
À plus long terme, les industriels parient sur des technologies de type MRAM ( « Magnetoresistive RAM » ) ou PC-RAM ( Phase Change RAM ... Une évolution majeure de ces mémoires non volatiles, le cœur même des cartes à puces, est annoncée avec l’arrivée en production de masse, dès 2006, des mémoires
Mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM) Nota : Le dossier Magnétorésistance géante et électronique de spin contient des informations complémentaires sur l’intégration des MRAM (densité, électronique spécifique