Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, thermique et en puissance hyperfr...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
nitruration... nitruration ionique... nitruration gazeuse... avec leurs conditions industrielles de mises en œuvre. Nitruration et nitrocarburation, dont les mécanismes...
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qui utilise comme substrats l’arséniure et le nitrure de gallium. Plus récemment, le gallium a été retenu... en électricité (panneaux solaires). Il est aussi utilisé dans les circuits intégrés ; le nitrure de gallium... , alliages à bas point de fusion). 1970 : utilisation du nitrure de gallium (GaN) dans les diodes... de la lumière en courant électrique. 2004 : utilisation du nitrure de gallium et d’aluminium (AlGa...
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