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Transistor

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Transistor dans les ressources documentaires

  • Article de bases documentaires
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  • 10 nov. 2015
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  • Réf : E1426

MMIC : composants

Cet article traite des circuits intégrés microondes (MMIC). Il décrit les principes de fonctionnement des transistors à effet de champ et bipolaires relatifs aux principales filières technologiques de circuits intégrés hautes fréquences. L’article insiste sur une description précise des filières technologiques disponibles aux concepteurs de MMIC, et des diverses approches de modélisation électrique de ces transistors.

  • Article de bases documentaires
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  • 10 août 2017
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  • Réf : E1995

Dispositifs HEMT à base de GaN

Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap GaN constitue une alternative particulièrement intéressante grâce à ses propriétés physiques. Il permet de fabriquer des composants de type High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant à haute fréquence grâce à de bonnes propriétés de transport électronique et une tension de claquage élevée. Cet article décrit les spécificités du semiconducteur et des hétérostructures associées, notamment les polarisations spontanée et piézoélectrique ainsi que les méthodes de croissance utilisées, épitaxie en phase vapeur aux organométalliques ou sous jets moléculaires, et les problèmes liés au substrat d’accueil (SiC ou Si).

  • Article de bases documentaires
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  • 10 nov. 2017
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  • Réf : E1996

Dispositifs HEMT à base de GaN

Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, thermique et en puissance hyperfréquence. Les principales applications sont abordées : l’amplification de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs dédiés aux convertisseurs pour l’électronique de puissance et les amplificateurs faible bruit robustes.


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