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Électricité photovoltaïque - PrincipesArticle de référence | Réf : BE8579 v4
Auteur(s) : Abdelilah SLAOUI
Date de publication : 10 nov. 2019
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Bande interdite ; bandgap
Le terme de gap apparaît dans le cadre de la physique des semi-conducteurs lorsqu‘on considère la bande de valence et la bande de conduction de ceux-ci. Entre les deux bandes se trouve un intervalle d’énergie dans lequel un porteur de charge ne peut pas se retrouver : il s’agit d’une bande interdite. L’intervalle d’énergie entre les deux bandes est ce qu’on appelle le gap.
Silicium multicristallin ; Multicrystalline silicon
Plaquette en silicium constituée de plusieurs grains de quelques millimètres à quelques centimètres en taille.
Hétérojonction ; Heterojunction
Jonction constituée de deux matériaux de propriétés structurales différentes. Par exemple du silicium amorphe sur du silicium cristallin, ou de l’arsenure de gallium sur du germanium.
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TECHNIQUES DU BÂTIMENT : LE SECOND OEUVRE ET LES LOTS TECHNIQUES
(1) - GOETZBERGER (A.), LUTHER (J.), WILLEKE[nbsp ](G.) - Proc. 12th Int’I PVSEC Conf., Jeju, Korea - , p. 5 (2001).
(2) - World Energy Outlook 2018 - International energy agency - , ISBN 978-92-64-12413-4 (2011).
(3) - WOLDEN (C.A.) et al - J. Vac. Sci. Technol., A29, p. 3 - (2011).
(4) - GREEN (M.A.), WANG (A.), ZHENG (G.F.), ZHANG (Z.), WENHAM (S.R.), ZHAO (J.), SHI[nbsp ](Z.), HONSBERG (C.B.) - Proc. 12th EC PVSEC Amsterdam, p. 776 - (1994).
(5) - AUTHIER (B.H.) - German Patent (DOS), n° 25 0883 - (1975).
(6) - FALLY (J.), GUIGNOT (D.), GOEFFRON (L.) - Proc. 7th EC PVSEC, Sevilla, p. 754 - (1986).
...
European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU/PVSEC) http://www.photovoltaic-conference.com
IEEE Photovoltaic Specialist Conference (IEEE PVS) http://www.ieee-pvsc.org
European Materials Research Society Conference (E-MRS)
Journées Nationales sur le Photovoltaïque (JNPV)
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http://www.photovoltaique.info/Normes-et-guides-des-circuits.html
http://www.photovoltaique.guidenr.fr/V_norme_module_ photovoltaique.php
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