- Article de bases documentaires
|- 10 nov. 2011
|- Réf : E2450
0,8 In 0,2 As/GaAs des HEMT GaGaAs dits pseudomorphiques (§ 2.4.1), voire en désaccord... Pour x Al = 0,3 on a Δ E c = 0,25 eV, E F potentiel de Fermi ≈ – 0,057 eV + 1,39 · 10 –6 N 2D... des zones cristallines très disloquées [cas des structures dites métamorphiques InP/GaAs (§ 2.4.3... (respectivement environ 3, 5 et 8 fois supérieure à celle du silicium pour InP, GaGaAs et InGaAs pour des niveaux...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 mai 2001
|- Réf : K692
: pour le 2,2,3-triméthylpentane : 1-4, 2-5, 4-6, 4-7, 1-8, 6-8, 7‐8, et 5-8 et le nombre de Platt est 8... ; pour le n -octane : 1-4, 2-5, 3-6, 4-7 et 5-8 et le nombre de Platt est 5. Le nombre delta de Platt est 8 – 5 = 3... T = (5)(0,014 1) + 0,018 9 + 0,016 4 + 0,006 7 = 0,112 5 Σ Δ p = (5)(– 0,001 2) + 0,002 0 + 0,004 3... ’erreur pour T c ; p c et V c sont 0,9 % ; 2,5 % et 8,4 %. Méthode d’Ambrose Il y a huit carbones aliphatiques...
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- Article de bases documentaires
|- Réf : TBA2650
.79
5.11
4.16
3.22...
2.16
3.20
4... .96
2.20
3.16
4...
7.01
6.48
5...
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