GaN SiC power MOSFET device RF CMOS Tout savoir sur GaN SiC power MOSFET device RF CMOS | Techniques de l'Ingénieur

1 résultat pour 'GaN SiC power MOSFET device RF CMOS'

  • Article de bases documentaires
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  • 10 nov. 2018
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  • Réf : e2381
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Dispositifs et technologie silicium sur isolant totalement déserté (FD-SOI)

SOI MOSFETs : optimization of the device architecture . . Même si leurs origines sont différentes, les effets... .) - Fringing fields in sub-0.1 µm fully depleted SOI MOSFETs : optimization of the device architecture... SOI Materials and Devices . qui néanmoins perd de l’importance pour les MOSFETs FD-SOI destinés... . . Pour un MOSFET à canal N, ils résultent de l’accumulation d’une charge positive (trous) dans le body ‘flottant...

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