Ga Tout savoir sur Ga | Techniques de l'Ingénieur

106 résultats pour 'ga'

  • Actualité
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  • 22 nov. 2017
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  • Réf : 49371

Participer à EnerGaÏa, c’est accompagner la filière et contribuer à la transition énergétique

EnerGaïa est le Forum qui mobilise territoires et entreprises pour une économie bas carbone en Méditerranée. A la fois Forum intégrant un cycle de conférences et de tables rondes abordant les nouveaux enjeux du marché, et convention d’affaires avec l’organisation de plus de 150 rendez-vous B to B ciblés, le Forum EnerGaïa conforte son positionnement de rendez-vous majeur des professionnels la fil...

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  • Actualité
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  • 30 nov. 2009
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  • Réf : 25244

De nouveaux champs d'application grâce aux cellules solaires flexibles

pour le silicium (Si) et l'arsénure de gallium (GaGaAs), qui nous permettent de « trancher » dans l'épaisseur... et les wafers de support (dans le cas du GaGaAs), et est ainsi à l'origine d'une réduction des coûts. La taille... (par exemple GaGaAs) et simplifie la forme des optiques de focalisation. De plus, la géométrie fine... concentrateurs GaGaAs dont le substrat est le verre. John Rogers est professeur de science et d...

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  • Actualité
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  • 29 nov. 2011
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  • Réf : 15559

Le ping-pong quantique, un bond en avant pour l'informatique quantique

(GaGaAs). Un chemin, dont l'énergie est plus élevée que les électrons, mène à une autre boîte quantique...

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  • Actualité
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  • 28 janv. 2021
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  • Réf : 88831

Devenir le leader mondial de la miniaturisation des alimentations de puissance

sur la technologie GaN (nitrure de gallium) développée au CEA-Leti. Rencontre avec Thierry Bouchet, le co... -Leti travaille sur la technologie GaN et a conçu des démonstrateurs de convertisseurs de puissance. Notre start... s'explique parce qu'ils chauffent moins. La technologie GaN permet de faire fonctionner le système... dans un mur - Crédits photos : Wise-Integration[/caption] Où sont fabriqués vos composants Ga...

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  • Actualité
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  • 25 mai 2011
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  • Réf : 6103

Où en est le photovoltaïque à concentration en 2011 ?

de gallium (GaGaAs), donne lieu au développement de cellules photovoltaïques qui pourraient être utilisées... ; - les matériaux photovoltaïques utilisés (cellules MJ III-V GaInP/GaInAs/Ge ou GaInP/GaAs/GaInAs) permettent d...

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  • Actualité
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  • 24 juil. 2015
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  • Réf : 11520

Nouveau procédé de fabrication de micro-écrans pour les systèmes de visualisation du futur

de gallium (GaN) pour produire des dispositifs de micro-écrans émissifs à très haute luminosité... de couches de GaN sur du saphir, micro-structuration des matrices de LED (pixels de 10 microns ou moins...

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  • Actualité
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  • 9 avr. 2021
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  • Réf : 89892

Des générateurs thermomagnétiques pour convertir les faibles écarts de température en électricité

rapide. Utiliser des films d’alliages de Heusler en Ni-Mn-Ga est la solution proposée par les chercheurs... qu’ils ont développé est assimilable à une poutre en porte-à-faux, sur laquelle est disposé un film d’alliage Ni-Mn-Ga...

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  • Actualité
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  • 26 oct. 2009
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  • Réf : 7125

Nouveau record mondial : Sharp développe une cellule photovoltaïque d'un rendement de conversion de 35,8%

présent étaient composées de phosphure de gallium indium (InGaP) pour la couche supérieure, d'arséniure... de gallium-indium (InGaAs) pour la couche médiane, et de germanium (Ge) pour la couche inférieure.Les couches...

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  • Article de bases documentaires
  • pdf en anglais
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  • 7 juin 2019
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  • Réf : e2382
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  • Logo doc&quiz ARTICLE INTERACTIF

Dispositifs FD silicium sur isolant (SOI) - Application More Moore et nouvelles architectures

matériaux des canaux de conduction de transistors MOS (Si, Ge, GaGaAs, InAs, InSb) montrant l’intérêt... pour des n -MOSFET fabriqués avec différents canaux ( p -InGaAs massif, p -InGaAs sur isolant, InGaAs intrinsèque... en passant du Si, au p -InGaAs massif, au p -InGaAs sur isolant, puis au InGaAs non dopé sur isolant... multiple (transistors double grille, Delta, GAA, FinFET, etc.), réalisés afin d’utiliser au mieux...

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  • Actualité
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  • 25 mai 2010
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  • Réf : 10883

Dotfive, objectif 0.5 térahertz

à du semi-conducteur de type III-V comme l’arséniure de gallium (GaGaAs). Cependant, dans les applications...

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