Le procédé d’ALD (Atomic Layer Deposition) nécessite des précurseurs qui présentent une volatilité et une stabilité thermique importante pour permettre leur transport en phase gaz mais également une forte réactivité avec le substrat. Rassembler toutes ces propriétés physico-chimiques au sein d’un même composé requiert une ingénierie moléculaire précise en termes de structure tridimensionnelle et de force des interactions intra- (liaisons chimiques) et inter-moléculaires (liaisons hydrogènes ou de type Van der Waals). L’article présente les différents paramètres disponibles aux chimistes et utilisateurs pour permettre de sélectionner la famille de précurseurs appropriée à un procédé.