Les photoconducteurs
Photoconducteurs ultrarapides

Les photoconducteurs actuellement les plus performants utilisent une couche active en GaAs épitaxié à basse température, ce qui impose la position spectrale de la source optique au voisinage de la bande interdite du GaAs, c’est-à-dire près de 870 nm.

Or, pour de nombreuses applications, le fait de disposer d’une commande optique à 1 550 nm s’avère particulièrement intéressant. En effet, on peut alors utiliser une fibre optique monomode pour coupler la lumière au dispositif photoconducteur et assurer de ce fait une meilleure stabilité de fonctionnement. Un autre avantage des plus grandes longueurs d’onde est de pouvoir disposer de sources d’impulsions optiques à coût réduit, car situées au cœur même de la bande d’utilisation des télécommunications optiques.

L’attrait que représente l’utilisation de dispositifs photoconducteurs compatibles avec les systèmes de télécommunications optiques incite d’ailleurs de nombreuses équipes internationales à rechercher des nouveaux matériaux semi-conducteurs, sensibles à 1 550 nm et qui aient les caractéristiques suivantes :

• une dynamique de relaxation subpicoseconde des porteurs de charge au sein du semi-conducteur, ce qui garantit la rapidité du composant ;

• une bonne mobilité des porteurs ;

• une résistivité élevée du matériau en l’absence d’illumination, ce qui assure un bon contraste entre l’état conducteur et l’état non conducteur.