3. Dispositif photoconducteur
L’ensemble des résultats précédents indique que les propriétés de l’InGaAs irradié par des ions sont compatibles avec la réalisation de photoconducteurs ultrarapides. Nous avons donc réalisé une série de photoconducteurs dont la couche active était en InGaAs irradié par des ions et nous avons mesuré leur réponse dans le domaine temporel.
Figure 7 - Vue de dessus d’un dispositif photoconducteur avec des électrodes disposées en peigne interdigité
Plus précisément, les photoconducteurs réalisés sont constitués à la base d’un mésa d’InGaAs de 0,3 µm d’épaisseur...
