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Semiconducteurs pour hyperfréquences

Référence E2490 | Date de publication : 10 juin 1993 | Alain CAPPY

INTRODUCTION

   1 Matériaux pour composants hyperfréquences

   1.1 Matériaux et composants

   1.2 Propriétés de transport

   2 Dipôles

   2.1 Dipôles non linéaires

   2.11 Diodes Schottky

   2.12 Diodes PIN

   2.13 Diodes varactors

   2.14 Performances de bruit des diodes Schottky, PIN et varactors

   2.2 Dipôles à résistance négative

   2.21 Diode IMPATT

   2.22 Diode à transfert d'électrons

   2.23 Diodes à effet tunnel résonnant

   3 Tripôles

   3.1 Performances micro-ondes (fréquentielles, de bruit, en puissance)

   3.2 Transistors bipolaires

   3.21 Transistors silicium à homojonction

   3.22 Transistor bipolaire à hétérojonction (TBH)

   3.3 Transistors à effet de champ

   3.31 Principes de fonctionnement

   3.32 Schéma équivalent petit signal

   3.33 Performances de bruit

   3.34 Amplification faible signal

   3.35 Amplification de puissance

   3.36 Structures en présence

   3.361 MOSFET

   3.362 MESFET

   3.363 HEMT

   3.364 Transistor bigrille

   3.37 État de l'art

   4 Circuits intégrés hyperfréquences

   4.1 Introduction

   4.2 Conception des MMIC

   4.3 Technologie des circuits intégrés

   4.4 Applications des MMIC

   4.5 Marché des MMIC

   Références bibliographiques

   Pour en savoir plus

LA
BOUTIQUE    ..............................................................................................................

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