INTRODUCTION
1 Composants actifs en hyperfréquences
1.1 Mécanismes fondamentaux. Dynamique des porteurs dans un semi-conducteur
1.2 Équations générales
1.3 Éléments non linéaires
1.4 Classes de dispositifs
2 Éléments non linéaires
2.1 Diodes à jonction P-N
2.11 Caractéristiques statiques
2.12 Caractéristiques dynamiques
2.13 Commande de charge
2.14 Étude des transitoires
2.2 Diodes à barrière de Schottky
2.21 Jonction métal-semiconducteur à l'équilibre
2.22 Jonction polarisée
2.23 Injection de porteurs minoritaires
2.3 Diodes à effet tunnel
2.31 Principe de fonctionnement
2.32 Estimation du courant
2.33 Fonctionnement dynamique
2.4 Différents types de diodes: circuits d'utilisation
2.41 Varactors
2.42 Filtres et oscillateurs accordables
2.43 Amplificateurs paramétriques
2.44 Multiplicateur de fréquence par varactors et diodes snap-off
2.45 Diodes PIN. Modulateurs et déphaseurs
2.46 Diodes mélangeuses. Changement de fréquence
3 Diodes à résistance négative à effets de volume
3.1 Structure et caractéristiques de la diode à avalanche
3.11 Structure et caractéristiques statiques
3.12 Caractéristiques dynamiques
3.13 Rendement maximal
3.14 Température de bruit de la diode à avalanche
3.2 Dispositifs à transfert d'électrons
3.21 Mécanismes fondamentaux
3.22 Instabilités convectives. Analyse linéaire
3.23 Analyse non linéaire: domaines et couches d'accumulation
3.24 Instabilités absolues
3.3 Amplificateurs et oscillateurs à diodes. Circuits d'utilisation
3.31 Amplificateur à résistance négative
3.32 Fréquence et niveau d'oscillation des oscillateurs à résistancenégative
3.33 Synchronisation et bruit des oscillateurs à diodes
4 Dispositifs à commande de charge
4.1 Structure et caractéristiques du transistor bipolaire
4.2 Caractéristiques des transistors à effet de champ
4.3 Facteur de bruit des transistors
4.4 Différents types de transistors. Circuits d'utilisation
5 Comparaison des performances des différents composants
5.1 Puissance et fréquence
5.2 Amplification
5.3 Facteur de bruit
Index bibliographique
