2. Hétéroépitaxie des matériaux III-N
2.1 Substrats utilisés
Le choix du substrat est déterminant pour ce qui concerne la qualité de l’hétéroépitaxie. La croissance des matériaux III-N est possible sur différents types de substrats. L’idéal est d’assurer directement la croissance du nitrure de gallium sur un substrat de GaN massif, afin de réduire les défauts structuraux, on parle alors de croissance homomorphique . Néanmoins, pour la plupart des applications, la nature du substrat hôte est différente de la couche épitaxiée. On parle alors de croissance métamorphique car, dans le cas du GaN, il n’existe aucun substrat en accord de maille.
Dans l’industrie, la valeur de la densité de dislocations est un des...
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Hétéroépitaxie des matériaux III-N
Conclusion
Sources bibliographiques
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