Technologies de réalisation
Dispositifs à transfert de charges (CCD)

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Technologies de réalisation
Dispositifs à transfert de charges (CCD)

Auteur(s) : Gilles BOUCHARLAT

Date de publication : 10 février 2006 | Read in english

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2. Technologies de réalisation

2.1 Rappel sur la technologie MOS

La très grande majorité des produits circuits intégrés, fabriqués par l’industrie du semi-conducteur, sont obtenus par la technologie MOS, qui permet de réaliser des couches de matériaux conducteurs ayant des propriétés particulières et bien déterminées sur des substrats de semi-conducteur, généralement de silicium.

La technologie MOS permet, en effet, de combiner l’utilisation des propriétés du substrat (matériau semi-conducteur) pour la réalisation de condensateurs, de diodes, de transistors à effet de champ... avec les propriétés des couches réalisées en surface : conductrices, tel l’aluminium ou le cuivre, semi-conductrices, comme le polysilicium, ou isolantes, pour isoler les composants entre eux, ou les séparer des pistes...

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