3. Effets radiatifs et durcissement technologique
3.1 Dose cumulée
Les effets provoqués par la dose sur les composants électroniques sont nombreux et prennent différents aspects.
Nous nous limiterons ici à la dérive de tension de seuil d’un transistor MOS ( Metal Oxide Semiconductor ) soumis à une irradiation en dose. Ce choix est dicté par le fait, d’une part, que trois quarts des composants sont de technologie MOS et que, d’autre part, la dérive de tension de seuil a des conséquences...
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Effets radiatifs et durcissement technologique
Moyens de protection
Bibliographie
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Article inclus dans l'offre
"Électronique"
(
494 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
