2. Microcavités de semi-conducteurs
Les progrès considérables dans le domaine des techniques d'épitaxie (par jets moléculaires dans le cas présent) de matériaux semi-conducteurs ont permis l'avènement des nanostructures de semi-conducteurs dans lesquelles le dépôt des couches est contrôlé à l'échelle de la couche atomique. Le matériau de prédilection pour l'industrie de l'opto-électronique est l'arséniure de gallium (GaAs), semi-conducteur III-V à gap direct (1,424 eV à température ambiante, 1,519 eV à 2 K, correspondant à des longueurs d'onde dans le proche infrarouge).
Parmi les nombreuses réalisations pratiques, citons les diodes laser, au nombre desquelles on compte le VCSEL ( Vertical Cavity Surface Emitting Laser ) qui présente un intérêt particulier dans le cadre de cet article. Le VCSEL se caractérise notamment par un faible seuil laser et une émission...
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Microcavités de semi-conducteurs
Micro-oscillateur paramétrique optique à cavité triple
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