5. Conclusion
Cet article présente une synthèse des principes de commande des composants à semi-conducteur de puissance à conduction bipolaire. Il se focalise sur la mise en forme et l’amplification des courants de gâchette (thyristors, triacs et IGCT) et de base (transistors bipolaires, BJT) en décrivant quelques circuits de commande rapprochée pour ces différentes catégories. Certains de ces composants sont aujourd’hui obsolètes (GTO) ou dédiés à des applications très spécifiques (BJT silicium). Toutefois dans le domaine de la très forte puissance, ou là encore dans des applications très spécifiques, les thyristors et IGCT présentent une robustesse et des performances à l’état passant qui les rendent aujourd’hui encore incontournables. Enfin, et bien que son développement industriel ne soit pas encore totalement mature, les performances électriques particulièrement intéressantes du BJT en SiC nous...
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