Mesures des paramètres de matériaux irradiés
Photoconducteurs ultrarapides

On s’attend à ce que les défauts agglomérés assurent une recombinaison efficace des porteurs. Ainsi, nous avons caractérisé expérimentalement l’effet de l’irradiation sur la dynamique des porteurs libres. Pour cette étude, nous avons utilisé des couches de matériau massif en InGaAs épitaxié par EPVOM en accord de maille sur InP. Les échantillons étaient constitués d’une couche d’InGaAs de 3 µm d’épaisseur sur une couche d’InAlAs de 0,2 µm d’épaisseur, cette seconde couche servant à stopper la gravure chimique que l’on effectue pour retirer localement le substrat d’InP. Les échantillons étaient irradiés par des ions lourds (Au ⁺ ) à une énergie de 200 MeV pour des doses allant de 10 ^10...