1. Généralités
Pour supporter des tensions élevées, une région relativement large et peu dopée doit jouxter la jonction bloquante du dispositif semi-conducteur, pour permettre à la zone de charge d'espace de s'étendre suffisamment. Cette région, dont la désignation générique est la « base », constitue le cœur des dispositifs de puissance. La « base » est souvent homogène, de type N de préférence au type P pour des raisons qui tiennent à la plus forte mobilité des électrons ou aux impératifs de la technologie. Elle constitue la région centrale des diodes et redresseurs, la base N des thyristors et des transistors IGBT, la région de collecteur des transistors bipolaires (mais, à l'origine, elle correspondait bien à la base des transistors « alliés »), la région de drain des transistors MOS de puissance. Selon les structures...
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Généralités
Tenue en tension des dispositifs plans
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