4. Vers une électronique de spin
Dix ans seulement après sa découverte, la magnétorésistance géante a révolutionné les industries des capteurs et des mémoires magnétiques de masse avec la mise sur le marché de capteurs plus sensibles, de disques durs d’ordinateur de plus haute densité. Le prochain marché qui sera bouleversé est sans nul doute celui des mémoires magnétiques non volatiles avec des commercialisations prévues avant 2005 sur la base de jonctions tunnel magnétiques. Les enjeux économiques du développement d’une électronique de spin ont motivé des recherches pour la mise au point d’autres composants, comme par exemple les transistors de spin .
Le principe de variation de leurs caractéristiques sous champ magnétique reste basé sur la polarisation et l’analyse des deux courants de spin. Cependant, leur structure est plus complexe avec, au sein...
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