Présentation
Lire cet article issu d'une ressource documentaire complète, actualisée et validée par des comités scientifiques.
Lire l'articleAUTEUR(S)
-
Philippe LETURCQ : Professeur à l’Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse - Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes du CNRS (LAAS)
INTRODUCTION
Cette deuxième partie de l’étude des composants de puissance bipolaires est principalement consacrée au transistor et aux dispositifs de la famille du thyristor. En continuité avec l’article , elle se fonde sur les mêmes principes généraux que ceux qui ont été mis en relief dans le cas des diodes et le formalisme utilisé est identique. On retrouvera donc ici, mis en jeu dans des composants commandés, les mécanismes de modulation de conductivité et de stockage de porteurs précédemment décrits, le cadre d’analyse, unidi-mensionnel et régional, étant intégralement conservé par souci de simplification didactique.
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
DOI (DIGITAL OBJECT IDENTIFIER)
Composants semi-conducteurs de puissance bipolaires. Partie 2
Transistors bipolaires de puissance
Article inclus dans l'offre
"Conversion de l'énergie électrique"
(
441 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
