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Philippe LETURCQ : Professeur à l’Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse - Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes du CNRS (LAAS)
INTRODUCTION
Cette deuxième partie de l’étude des composants de puissance bipolaires est principalement consacrée au transistor et aux dispositifs de la famille du thyristor. En continuité avec l’article , elle se fonde sur les mêmes principes généraux que ceux qui ont été mis en relief dans le cas des diodes et le formalisme utilisé est identique. On retrouvera donc ici, mis en jeu dans des composants commandés, les mécanismes de modulation de conductivité et de stockage de porteurs précédemment décrits, le cadre d’analyse, unidi-mensionnel et régional, étant intégralement conservé par souci de simplification didactique.
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DOI (DIGITAL OBJECT IDENTIFIER)
RÉFÉRENCE BIBLIOGRAPHIQUE
Composants semi-conducteurs de puissance bipolaires. Partie 2
Transistors bipolaires de puissance
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"Conversion de l'énergie électrique"
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