3. Lasers à boîtes quantiques de InAs/GaAs émettant à 1 300 nm
3.1 Émission laser depuis l’état excité
Aujourd’hui, deux voies sont explorées afin de réaliser des diodes laser émettant à 1 300 nm, sur substrat de GaAs : celle qui utilise des puits quantiques de GaInNAs et celle qui utilise des boîtes quantiques de InAs. Cependant, c’est la seconde approche qui présente les meilleures caractéristiques et perspectives. À 1 300 nm, la valeur record publiée pour J th est de 16 A/cm 2
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Lasers à boîtes quantiques de InAs/GaAs émettant à 1 300 nm
Conclusion
Pour en savoir plus
Références
- (1) - LORRAIN (J.-L.), RAOUL (D.) - Nanosciences et progrès médical - . Rapport de L’OPECST n o 293 (2003-2004). Disponible sur http://www.senat.fr
- (2)...
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