| Réf : IN40 v1

Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel

Auteur(s) : Philippe BELLEVILLE, Philippe BOY

Date de publication : 10 août 2005

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INTRODUCTION

La chimie peut-elle aider la microélectronique dans sa course à la miniaturisation ? Les chimistes du CEA/Le Ripault ont mis au point une solution à base du meilleur matériau ferroélectrique connu, le PZT, stable sur plus d’une année, reproductible à grande échelle, compatible avec le silicium... Le procédé par voie sol-gel utilisé est beaucoup plus souple et économique que le dépôt sous vide classiquement utilisé, et exploite les machines habituellement consacrées à l’application de résine de gravure sur les substrats de silicium.

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De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-in40


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BIBLIOGRAPHIE

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  • (2) - OLDING et al -   *  -  Integrated Ferroelectrics, 26, p. 225-241 (1999).

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  • (5) - WU et al -   *  -  Journal of sol-gel Science and Technology, 19, p. 671-676 (2000).

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