Micro-oscillateur paramétrique optique monolithique pour la génération de photons jumeaux

Les progrès considérables dans le domaine des techniques d'épitaxie (par jets moléculaires dans le cas présent) de matériaux semi-conducteurs ont permis l'avènement des nanostructures de semi-conducteurs dans lesquelles le dépôt des couches est contrôlé à l'échelle de la couche atomique. Le matériau de prédilection pour l'industrie de l'opto-électronique est l'arséniure de gallium (GaAs), semi-conducteur III-V à gap direct (1,424 eV à température ambiante, 1,519 eV à 2 K, correspondant à des longueurs d'onde dans le proche infrarouge).

Parmi les nombreuses réalisations pratiques, citons les diodes laser, au nombre desquelles on compte le VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) qui présente un intérêt particulier dans le cadre de cet article. Le VCSEL se caractérise notamment par un faible seuil laser et une émission par la surface de la nanostructure (et non plus par la tranche comme dans les plus anciennes générations). De ce fait, l'émission est isotrope et se couple aisément à une fibre optique. Développé initialement à la fin des années 1970, il a fallu attendre une décennie avant la réalisation des premiers dispositifs fonctionnant à température ambiante...