Jfet Tout savoir sur Jfet | Techniques de l'Ingénieur

Article de bases documentaires

10 févr. 2007
Réf : d3120
DOI : 10.51257/a-v2-d3120

Composants de puissance en SiC - Technologie

commercialement. Enfin, des JFET et JFET cascode sont d’ores et déjà disponibles en échantillonnage... , différents acteurs en Europe avec l’industrialisation de diodes Schottky et de JFET 1,2 kV par la société...

Appréhendez les contraintes de conception et de fonctionnement des machines électriques.

Article de bases documentaires

10 nov. 2007
Réf : d3122
DOI : 10.51257/a-v1-d3122

Composants de puissance en SiC - Applications

, JFET ou MESFET en Si ou SiC, les diodes D 1 et D 2 sont en SiC. Les modélisations (cycles... ) ; un composant à trois électrodes (JFET, figure 10 ) ayant la particularité d'avoir une couche de grille... et technologiques ont été ajustés afin que le JFET présente une caractéristique de type « pentode » jusqu'à de très... de moteurs électriques… SiCED en Allemagne commercialise des JFET 1 200 V et CREE des MESFET...

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Article de bases documentaires

10 sept. 2004
Réf : r2811
DOI : 10.51257/a-v1-r2811

Températures cryogéniques - Mesures spécifiques

Aux basses températures de la cryogénie, la mesure des grandeurs physiques est délicate à maîtriser. Les techniques de mesures sont souvent dérivés des techniques utilisées à température ambiante. Toutefois, certaines sont spécifiques à ces basses températures, en utilisant des propriétés physiques, comme la supraconductivité, qui n'existent pas à température ambiante. Cet article présente les te...

Choisissez le matériel et la méthode les mieux adaptés pour garantir la fiabilité de vos mesures.

Article de bases documentaires

10 nov. 2001
Réf : d3108
DOI : 10.51257/a-v1-d3108

Semi-conducteurs de puissance unipolaires et mixtes (partie 1)

ou JFET ( Junction-Field-Effect-Transistor ), aussi désigné comme SIT ( Static-Induction... 102] , § 2.4) et de jonction (JFET, cf. [D 3 102] , § 2.5), comparés à leurs homologues bipolaires... , comme celles représentées schématiquement sur les figures 1 b (JFET) et 1 c (MOS). Par contre, la résistance... . Par contre les transistors JFET, malgré l’intérêt de leur principe, n’ont jusqu’à présent connu que des développements...

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Article de bases documentaires

4 déc. 2017
Réf : e1990
DOI : 10.51257/a-v2-e1990

Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC)

et JFET. Dans cet article, les différentes technologies de mises en œuvre (comme l’épitaxie, le dopage...

De la conception à la mise en œuvre des composants, votre outil de référence sur l'électronique.

Article de bases documentaires

10 août 2017
Réf : d3230
DOI : 10.51257/a-v2-d3230

Commande des composants à semi-conducteurs de puissance : contexte

(MOSFET, IGBT, HEMT GaN et JFET SiC) ; Pour chacune de ces catégories de CSCP, les circuits de commande... notamment dans les convertisseurs utilisant des transistors grand gap (JFET SiC SHERIDAN (D.C.), CHATTY (K... .), BONDARENKO (V.), CASADY (J.B.) - Reverse conduction properties of vertical SiC trench JFETs . OUAIDA (R... .), FONTENEAU (X.), DUBOIS (F.), BERGOGNE (D.), MOREL (F.), MOREL (H.), OGE (S.) - SiC Vertical JFET Pure Diode...

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Article de bases documentaires

8 févr. 2022
Réf : d3119
DOI : 10.51257/a-v1-d3119

Propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium (SiC)

: les diodes Schottky en 2002 et les transistors JFET peu après, ainsi que les MESFET dans le domaine... : les diodes Schottky en 2002 et les transistors JFET peu après, ainsi que les MESFET dans le domaine...

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Article de bases documentaires

Article interactif
26 avr. 2021
Réf : d3114
DOI : 10.51257/a-v1-d3114

Évaluation de la température des composants actifs de puissance

. Ce principe de base est ensuite adapté à des composants présentant une jonction : diode, MOSFET ou JFET... le fait que, dans le cas du transistor JFET, l’utilisation d’une jonction est préférée à l’utilisation... peuvent être utilisés pour caractériser un JFET de puissance, car il y a plusieurs jonctions dans le composant MOUMEN... (S.), LEFEBVRE (S.), KHATIR (Z.), FAUGIERES (J.C.) - Indirect thermal measurement on SIC JFET...

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Article de bases documentaires

27 août 2024
Réf : r1080
DOI : 10.51257/a-v3-r1080

Mesure des composants électroniques - Partie 3 : mesure des composants actifs

du courant de base (transistor bipolaire) ou de la tension de grille (transistor JFET – junction field... de produire une série de valeurs de courants (ou de tensions pour un transistor JFET ou un MOS) croissante... ) ; les transistors à effet de champ à jonction (JFET : Junction Field Effect Transistor ) ; les transistors... , comme on peut le voir sur la figure . Transistors à effet de champ à jonction (JFET) À la différence du transistor...

Sécurisez l'instrumentation électrique et son usage au cœur de vos processus industriels de contrôle de fabrication.

Article de bases documentaires

20 mai 2022
Réf : r450
DOI : 10.51257/a-v2-r450

Bruit dans les mesures électriques

: le bruit Schottky de la jonction grille-canal (dans les JFET) : avec I g courant traversant...

Sécurisez l'instrumentation électrique et son usage au cœur de vos processus industriels de contrôle de fabrication.

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