Hemt : définition

Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitatio…

Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap GaN constitue une alternative intéressante grâce à ses propri…

Les composants microélectroniques dits à hétérojonction, qui ont suivi la génération des homojonctions, permettent de combiner, au sein d'un même composan…

L'optimisation des structures mécaniques a pour objectif la détermination de la meilleure conception possible en termes de coût et de qualité. En général,…

Cet article s’intéresse aux amplificateurs de puissance à état-solide en radiofréquence, notamment suite à l’introduction de technologies "grand gap&…

Cet article traite des circuits intégrés microondes (MMIC). Il décrit les principes de fonctionnement des transistors à effet de champ et bipolaires relat…

Cet article présente les éléments principaux relatifs aux systèmes de transmission sans fil en gamme (sub)térahertz (THz). Le contexte général et les élém…

Cet article décrit les caractéristiques électriques des principaux composants à semi-conducteur de puissance en lien avec les grandeurs électriques de com…

Cet article concerne le principe de fonctionnement et les diverses architectures de circuits hautes fréquences dédiés à la génération de signal (oscillate…

La microélectronique de puissance est une branche de la microélectronique qui s’intéresse à la conception et à la fabrication de composants à semi-conduct…

Cet article décrit l’environnement électrique et thermique des composants à semi-conducteurs de puissance (CSCP) afin d’introduire les principales contrai…

Depuis l'apparition des premiers circuits MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuit, ou circuit intégré monolithique hyperfréquence), dans les années…