2. Mémoires à base de matériaux ferroélectriques (FeRAM)
Les mémoires ferroélectriques représentent une avancée dans le domaine des technologies de stockage. Elles combinent non-volatilité, rapidité et faible consommation. Elles exploitent la polarisation rémanente de matériaux ferroélectriques (ex : PZT, Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 ) pour stocker des données binaires, offrant une technologie prometteuse pour remplacer les mémoires flash traditionnelles. Il existe plusieurs types et plusieurs architectures de mémoires ferroélectriques, qui combinent une couche ferroélectrique et un circuit de lecture/écriture, typiquement en architecture 1T1C (1 transistor/1 condensateur ferroélectrique). On voit également apparaître l’intégration progressive de matériaux ferroélectriques dans des empilements hyperdenses DRAM ( ...
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Mémoires à base de matériaux ferroélectriques (FeRAM)
Perspectives et évolutions
Sources bibliographiques
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