2. Composants électroniques à commande en courant
Les méthodes que nous avons examinées permettent d’empiler des couches de type P ou N. Nous allons présenter maintenant leur association, en couches doubles, triples et quadruples, en remplaçant les démonstrations de physique théorique par des images simples mais parlantes.
Lorsque du silicium est dopé (N par exemple), les porteurs du type opposé (P dans ce cas) sont fortement réduits. Mais il est possible de démontrer que dans toutes les jonctions PN, ce sont les minoritaires (P dans ce cas) qui contrôlent le fonctionnement du composant. Nous verrons que le blocage des diodes se fait toujours par recombinaison de charges au sein de la zone de transition. Ce mécanisme, s’il n’est pas accéléré par le circuit de puissance (commutation assistée), est libre (commutation forcée). Dans ce dernier cas, un temps proportionnel au taux de dopage est nécessaire pour que toutes...
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