2. Croissance
2.1 Matériau massif
La température d’équilibre solide/liquide de GaN se situe vers 2 500 o C pour une pression de quelques dizaines de kbar. Ces conditions sont hors d’atteinte expérimentalement et les méthodes classiques de croissance de semi-conducteurs massifs (Czochralski, Bridgman) ne sont pas applicables au cas de GaN. On s’approche des conditions de croissance à l’équilibre avec une température de 1 600 o C et une pression de 20 kbar. Dans ce cas, le taux d’incorporation d’azote dans GaN est faible mais non nul et, en présence d’un gradient de température, GaN se solidifie dans la partie la plus froide. Dans les conditions de sursaturation optimale pour la morphologie des couches, la croissance...
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Croissance
Procédés technologiques
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