1. Propriétés physiques
1.1 Structure cristalline
La forme cristalline stable du GaN est hexagonale comme le montre la figure 1. Les paramètres de maille à température ambiante sont a = 0,31878 nm et c = 0,5185 nm. Le rapport c/a est proche de la valeur attendue théoriquement dans une structure hexagonale qui est .
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Propriétés physiques
Croissance
- (1) - FISCHER (A.J.) et al - Temperature - dependent absorption measurements of excitons in GaN epilayers. - Applied Physics Letters, vol. 71, p. 1981, oct. 1997.
- (2) - SONG (J.J.), SHAN (W.) - Optical properties and lasing in GaN. - Physics and Applications of Group III Nitride Semiconductor Compounds, chapitre 6, ed. B. Gil, Oxford...
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