Perspective du développement du transistor MOS
Transistor MOS et sa technologie de fabrication

Ajouter à la bibliothèque

E2430 V2 Archive

Perspective du développement du transistor MOS
Transistor MOS et sa technologie de fabrication

Auteur(s) : Thomas SKOTNICKI

Date de publication : 10 février 2000

Ajouter à la bibliothèque Ajouter à la bibliothèque

Logo Techniques de l'Ingenieur Cet article est réservé aux abonnés
Pour explorer cet article plus en profondeur Consulter un extrait gratuit

Déjà abonné ?

5. Perspective du développement du transistor MOS

Depuis plus de 30 ans, la miniaturisation du transistor MOS est guidée par un jeu très simple de « règles de réduction d’échelle » proposées par Dennard (1967) et qui se basent sur l’observation fondamentale que les dimensions du transistor peuvent être diminuées sans compromettre ses caractéristiques électriques.

Plus précisément, ces règles prévoient la conservation de ce qu’on appelle aujourd’hui l’ intégrité électrostatique du transistor (il s’agit principalement, de la conservation des champs électrostatiques internes et ainsi du maintien du contrôle des effets de petites dimensions) lorsqu’une réduction de toutes les dimensions du dispositif ( L , W , T ...

Cet article est réservé aux abonnés
Logo Techniques de l'Ingenieur

Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.

Cet article est réservé aux abonnés Consulter un extrait gratuit

Déjà abonné ?


Lecture en cours
Perspective du développement du transistor MOS

Article inclus dans l'offre

"Électronique"

( 494 articles )

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.

Services

Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.

Des modules pratiques

Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.

Des avantages inclus

Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.

Voir le détail de l'offre

Dans les ressources documentaires

Composants bipolaires (thyristors, triacs, GTO, GCT et BJT) : circuits de commande

Cet article présente les principes de commande des principaux composants à semi-conducteur de puissance b...

Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V)

Le comportement des composants électroniques à semi-conducteurs est largement conditionné par la nature d...

Introduction aux composants de microélectronique de puissance

La microélectronique de puissance est une branche de la microélectronique qui s’intéresse à la conception...

Métallurgie pour la microélectronique à support silicium

La microélectronique repose sur l’assemblage de milliards de transistors sur une même puce et relève de t...

Tous les livres blancs
Article « Le edge va être un marché énorme »
24 février 2026
« Le edge va être un marché énorme »

Les puces électroniques ont longtemps été un sujet discret, réservé aux spécialistes. Jusqu’au jour où elles ont manqué. Après le Covid, quelques composants int...

Toutes les actualités

Inscrivez-vous aux newsletters !

Contactez-nous