Principe de base et structures des transistors MOS
Transistor MOS et sa technologie de fabrication

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Principe de base et structures des transistors MOS
Transistor MOS et sa technologie de fabrication

Auteur(s) : Thomas SKOTNICKI

Date de publication : 10 février 2000

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1. Principe de base et structures des transistors MOS

1.1 Effet de champ

  • Le principe de fonctionnement d’un transistor MOS (Métal-Oxyde-Semi-conducteur) repose sur l’ effet «  de champ  », qui consiste à moduler de façon électrostatique une densité de charges mobiles dans un semi-conducteur. Cette modulation est provoquée par un champ électrique perpendiculaire à la direction de mouvement de ces charges, et agissant entre deux électrodes séparées par un diélectrique, comme dans une capacité plane.

La figure  1 illustre l’effet de champ dans un transistor MOS schématisé :

  • ...

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