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Philippe LETURCQ : Professeur à l’Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse - Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes du CNRS (LAAS)
INTRODUCTION
Cet article doit permettre aux électroniciens de puissance et plus généralement à tout spécialiste du génie électrique, de s’initier à l’électronique du silicium , ou d’approfondir des connaissances à ce sujet, sans nécessairement avoir une formation préalable en physique du solide. Les concepts de base, issus de la mécanique quantique et de la thermodynamique statistique sont acceptés comme des postulats et l’auteur a pris le parti d’employer un langage d’électricien pour l’exposé des notions fondamentales sur lesquelles s’appuie l’étude du comportement électrique des composants semi-conducteurs. Après avoir inventorié les propriétés électroniques intéressant principalement, mais non exclusivement, le fonctionnement des composants de puissance, on passe en revue :
les structures élémentaires : PN, Schottky, PNP ou NPN, MOS, dont les composants sont assemblés ;
les effets fondamentaux qu’elles font jouer : conduction unidirectionnelle des jonctions PN et des contacts métal/semi-conducteur, effet transistor bipolaire, effet de champ MOS, effet de champ de jonction.
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Physique des semi-conducteurs de puissance
Propriétés électroniques du silicium
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