Semi-conducteurs de puissance - Problèmes thermiques (partie 2)

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Semi-conducteurs de puissance - Problèmes thermiques (partie 2)

Auteur(s) : Jean-Marie DORKEL

Date de publication : 10 août 2003 | Read in english

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RÉSUMÉ

Cet article aborde les problématiques de couplage électrothermiques dans les composants de puissance. Il est important de noter que la puissance électrique dissipée par les composant électroniques est influencée par la répartition de la température dans leur zone active, puisque de nombreux paramètres fondamentaux des semi-conducteurs dépendent plus ou moins directement de la température. Enfin l'article fournit quelques éléments sur les effets de la température sur la fatigue et la fiabilité des composants. 

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AUTEUR(S)

  • Jean-Marie DORKEL : Docteur ès sciences - Professeur à l’Institut national des sciences appliquées de Toulouse - Chercheur au LAAS/CNRS de Toulouse

 INTRODUCTION

Les méthodes analytiques ou autres permettant d’aboutir à l’évaluation de la température de la zone active, ou température de jonction, d’un composant semi-conducteur de puissance ont fait l’objet d’un premier article .

Dans cet article, nous aborderons le problème de l’interactivité entre la puissance dissipée par le composant et sa température en vue de discuter de la validité du concept de température de jonction et nous terminerons notre exposé par quelques considérations sur les problèmes induits de fatigue thermique et de fiabilité.

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DOI (DIGITAL OBJECT IDENTIFIER)

https://doi.org/10.51257/a-v1-d3113

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