2. Diodes Schottky
2.1 Structure type
Les diodes Schottky mettent en jeu les propriétés de redressement des contacts métal-semiconducteur du même nom. Au contraire des contacts ohmiques, ceux-ci sont réalisés avec un choix de matériaux tels qu’une charge d’espace dépeuplée se trouve établie dans le semi-conducteur, au voisinage du contact (cf. , § 2.2).
Pour les diodes de puissance, les couples constitués de silicium modérément dopé de type N (de quelques 10 14 à quelques 1015 cm−3 selon la tension blocable visée) et de métaux ou alliages à fort travail de sortie (platine, molybdène, tungstène, platine-nickel...) déterminent, après traitement thermique (formation de siliciures), une barrière de potentiel dont la hauteur ΦB, vue du métal,...
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Diodes Schottky
Transistors à effet de champ de jonction et composants dérivés
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