1. Contexte
Philippe ANDREUCCI
Ingénieur de Recherche CEA-LETI - GRENOBLE
Laurent DURAFFOURG
Ingénieur de Recherche CEA-LETI – GRENOBLE
Les transistors MOS de nouvelle génération et ses différents remplaçants potentiels (transistor moléculaire, transistor à un électron –
Single Electron Transistor
– SET) font l'objet d'une attention toute particulière
Cet article est réservé aux abonnés
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ?
Se connecter
Lecture en cours
Contexte
Références bibliographiques
-
(1) - SÉE (J.) -
Théorie du blocage de Coulomb appliquée aux nanostructures semi-conductrices : modélisation des dispositifs à nanocristaux de silicium.
-
Thèse Doctorat, Université Paris XI, Orsay, déc. 2003.
-
(2) - EKINCI (K.L.) et al -
Ultrasensitive...
Cet article est réservé aux abonnés
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ?
Se connecter