1. Contexte
Philippe ANDREUCCI Ingénieur de Recherche CEA-LETI - GRENOBLE
Laurent DURAFFOURG Ingénieur de Recherche CEA-LETI – GRENOBLE
Les transistors MOS de nouvelle génération et ses différents remplaçants potentiels (transistor moléculaire, transistor à un électron – Single Electron Transistor – SET) font l'objet d'une attention toute particulière
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Contexte
Références bibliographiques
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(1) - SÉE (J.) - Théorie du blocage de Coulomb appliquée aux nanostructures semi-conductrices : modélisation des dispositifs à nanocristaux de silicium. - Thèse Doctorat, Université Paris XI, Orsay, déc. 2003.
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(2) - EKINCI (K.L.) et al - Ultrasensitive nanoelectromechanical mass detection. - Applied...
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