1. Contexte
L’ALD a connu son essor au début des années 1970 en Finlande pour répondre à un besoin de l’industrie de panneaux électroluminescents (TFELs). Pour le développement de ces produits, il était nécessaire de déposer des couches minces diélectriques et luminescentes de haute qualité sur de grandes surfaces. Les procédés de dépôts classiques utilisés à l’époque tels que l’évaporation ou la pulvérisation cathodique ne répondaient pas à ces attentes.
T. Suntola et son équipe eurent l’idée de déposer un matériau correspondant aux propriétés recherchées, le ZnS, brique par brique en partant de précurseurs élémentaires (zinc et soufre). De cette manière, il était possible d’avoir un contrôle précis de l’épaisseur même sur une grande surface. La technique de dépôt chimique par flux alternés, dit ALE ( Atomic Layer Epitaxy ) était née....
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Principe général de l’ALD
Sources bibliographiques
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