Contexte
Simulation à l'échelle atomique en ALD des oxydes ultra-minces

Dans le contexte général des micro et nano-technologies, la simulation et les outils dont elles disposent peuvent intervenir à de très nombreux niveaux. Dans cet article, nous nous intéressons à la simulation à l’échelle atomique dédiée aux procédés de fabrication, à leur développement et à leur simulation prédictive, étant entendu que celle-ci peut également s’intéresser aux propriétés électroniques. Notre regard est ici exclusivement porté sur le procédé de dépôt par couche atomique, l’ALD.

Au-delà de la qualité des couches en volume, l’optimisation des propriétés des films ultra-minces réside essentiellement en la qualité de leurs interfaces. C’est donc sur ces quelques monocouches de transition substrat/couche déposées que se situent nombre de questions et de verrous. La caractérisation fine de ces interfaces, composition chimique, structure, nature et impact...