Conclusions et perspectives
Matériaux semi-conducteurs à grand gap III-V à base de GaN

Si on exclut quelques essais plus anciens, les matériaux semi-conducteurs à base de GaN ont réellement vu le jour avec les années 1990. En très peu de temps, une production massive de dispositifs à base de GaN a été lancée. Cette rapidité de développement est unique dans l’histoire des semi-conducteurs. Elle est liée d’une part à la grande maturité de l’industrie des semi-conducteurs en général et d’autre part aux gigantesques enjeux économiques de ce matériau. Les LEDs sont en vente et les lasers devraient l’être bientôt. Les performances en fréquence et puissance des transistors GaN sont au niveau de celles des autres semi-conducteurs, et les détecteurs ont déjà atteint un niveau compétitif. On parle également des nitrures de gallium et d’aluminium pour les cathodes froides. À l’évidence, certains développements ne sont rendus possibles que par l’effet d’entraînement provoqué par l’essor...