Contexte
Phénomènes de dissipation dans les nanostructures

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NM125 V1 Article de référence

 Contexte
Phénomènes de dissipation dans les nanostructures

Auteur(s) : Philippe ANDREUCCI, Laurent DURAFFOURG

Date de publication : 10 janvier 2006 | Read in english

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1.  Contexte

Philippe ANDREUCCI Ingénieur de Recherche CEA-LETI - GRENOBLE

Laurent DURAFFOURG Ingénieur de ­Recherche CEA-LETI – GRENOBLE

1.1 Nanotechnologie et nanosystèmes mécaniques (NEMS)

Les transistors MOS de nouvelle génération et ses différents remplaçants potentiels (transistor moléculaire, transistor à un électron – Single Electron Transistor – SET) font l'objet d'une attention toute particulière 

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