Présentation
RÉSUMÉ
Cet article décrit la mise en oeuvre d'une stratégie de modélisation multi-niveaux pour la simulation à l'échelle atomique des procédés en micro et nano-technologies. Cette stratégie multi-niveaux combine des calculs quantiques de type fonctionnel de la densité électronique, avec de la simulation mésoscopique. Les étapes de construction du modèle de type Monte Carlo basé sur réseau seront particulièrement détaillées : gestion d'un espace décrit par un réseau de sites, écriture des configurations, liste des mécanismes élémentaires, gestion du temps d'expérience. Ces éléments généraux sont systématiquement étayés par un exemple d'application sur la croissance des oxydes de grille pour la microélectronique « ultime » : la croissance par couche atomique (ALD) de l'oxyde d'Hafnium sur silicium.
AUTEUR(S)
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Alain ESTEVE : Chercheur au LAAS-CNRS de l’université de Toulouse
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Ahmed DKHISSI : Chercheur au LAAS-CNRS de l’université de Toulouse
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Cédric MASTAIL : Chercheur au LAAS-CNRS de l’université de Toulouse
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Georges LANDA : Chercheur au LAAS-CNRS de l’université de Toulouse
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Anne HEMERYCK : Chercheur au LAAS-CNRS de l’université de Toulouse
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Mehdi DJAFARI-ROUHANI : Travaille à l’université de Toulouse au sein de l’UPS
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Nicolas RICHARD : Chercheur au CEA-DAM de Bruyères le Châtel
INTRODUCTION
Nous décrivons ici la mise en œuvre d'une stratégie de modélisation multi-niveaux pour la simulation à l'échelle atomique des procédés en Micro et Nano-technologies.
Cette stratégie multi-niveaux combine des calculs quantiques de type fonctionnelle de la densité électronique DFT ( Density Functional Theory ) avec de la simulation mésoscopique au travers d'une technique de « Monte Carlo cinétique ».
Nous nous attachons plus particulièrement à détailler les étapes de construction d'un modèle de type « Monte Carlo cinétique » basé sur réseau et d'en souligner le caractère général pour la simulation procédé :
– gestion d'un espace décrit par un réseau de sites ;
– écriture des configurations ;
– liste des mécanismes élémentaires ;
– gestion du temps d'expérience.
Ces éléments généraux sont systématiquement étayés par un exemple d'application sur la croissance des oxydes de grille pour la microélectronique « ultime » : la croissance par couche atomique ( ALD : Atomic Layer Deposition ) de l'oxyde d'Hafnium sur silicium.
Alain ESTEVE, Ahmed DKHISSI, Cédric MASTAIL, Georges LANDA et Anne HEMERYCK sont tous chercheurs au LAAS-CNRS de l’université de Toulouse.
Mehdi DJAFARI-ROUHANI travaille à l’université de Toulouse au sein de l’UPS.
Enfin, Nicolas RICHARD est chercheur au CEA-DAM de Bruyères le Châtel.
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CET ARTICLE SE TROUVE ÉGALEMENT DANS :
Logiciel Hikad : modéliser l'organisation atomique durant la croissance de HfO2 sur silicium
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