2. Principes physiques
Dans les années 1960, dès lors qu’il avait été démontré que certains semi-conducteurs, comme l’arséniure de gallium (GaAs), pouvaient émettre spontanément des photons par recombinaison de paires électrons-trous dans une jonction p-n, plusieurs expérimentateurs ont observé de l’amplification de lumière par émission stimulée dans des jonctions traversées par un fort courant. Le seuil d’émission stimulée est apparu pour une quantité de paires électrons-trous satisfaisant une condition analogue à celle de l’inversion de population des systèmes atomiques. Ensuite, à l’instar des lasers à gaz, en insérant ce milieu amplificateur dans une cavité optique de type Fabry-Pérot, on a multiplié les amplifications de lumière et créé ainsi, dès 1962 le premier oscillateur, ou laser à semi-conducteur émettant à 0,9 µm.
Les structures et les propriétés des diodes ont considérablement évolué depuis. Ces progrès ont été obtenus grâce à la découverte de nouveaux semi-conducteurs, à une parfaite maîtrise de leur élaboration et la mise au point de nouvelles cavités optiques.
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