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Innovations technologiques / Référence TI958

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Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel

Référence IN40 | Date de publication : 10 août 2005 | Philippe BOY, Philippe BELLEVILLE

3. Avantages du procédé

Le procédé proposé ici met en avant plusieurs avantages visant à faciliter l’intégration de ce mode de préparation dans le milieu de l’industrie microélectronique.

  • Utilisation de solvants en respect avec la réglementation et les normes environnementales, notamment éviction du méthoxyéthanol, hautement toxique et prohibé en milieu industriel, remplacé ici par l’éthylèneglycol.

  • Obtention d’excellentes performances diélectriques (ε élevé » 1 000) pour de très faibles épaisseurs de films (typiquement comprises entre 150 et 250 nm), conduisant par là même à des valeurs de densités surfaciques de capacités exceptionnelles (40 nF/mm2).

  • Mode de préparation qui garantit une stabilité à très long terme de la solution traitante utilisée pour les dépôts (» 1 an) associée à une très bonne reproductibilité des performances électriques dans le temps.

  • Finalement, ce protocole de synthèse, mis au point pour la composition particulière PbZr0,5Ti0,5O3...

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