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4. Description du procédé
Le mode de synthèse de la solution PZT garantit un processus répétable de réalisation de films minces à forte constante diélectrique grâce à l’utilisation d’une solution sol-gel stabilisée.
Le procédé développé concerne aussi l’application de cette solution sur des wafers de silicium métallisés dans le but d’obtenir des revêtements à forte constante diélectrique avec le minimum de couches déposées et dans un temps de process minimisé.
4.1 Préparation de la solution sol-gel PZT
La synthèse commence par la préparation du précurseur à base de plomb. Typiquement, le précurseur est choisi parmi les sels organiques du plomb, comme l’acétate de plomb qui est préalablement purifié.
Les autres précurseurs métalliques sont introduits sous forme de composés organométalliques (alcoxydes de titane et de zirconium).
Après réaction, on obtient une solution à température ambiante qui est conservée sans agitation pendant sa phase de mûrissement. La solution est ensuite diluée avant sa mise en œuvre.
Afin de confirmer la nécessité...
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