5. Applications
Nous avons déjà vu que l'émergence des composants à base de SiC était directement liée aux progrès de la technologie et, en particulier, de la technologie des substrats. En effet, puisque tout défaut initialement présent dans le substrat se réplique, plus ou moins facilement, dans la (les) couche(s) active(s) c'est lui qui, en définitive, conditionne le passage des fortes densités de courant et, donc, la valeur maximale de la puissance délivrée. L'objectif actuel, pour les composants de puissance, est d'arriver à une surface active de quelques centimètres carrés (1 à 2 cm 2 ) de façon à pouvoir délivrer de façon routinière des courants d'une centaine d'ampères. Il est pratiquement atteint
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